دستیابی به کارایی اقتصادی، هدف غایی تمامی بازارهای اقتصادی ازجملهبازارهای برق است. سازوکارهای قیمت‌گذاری میتوانند کارایی اقتصادی بازار برق رابه‌طور قابل‌توجهی تحت تأثیر قرار دهند. وجود عواملی همچون عدم‌تحدب در مسائلبهینه‌سازی مربوط به بازار برق و اثرات خارجی منفی ناشی از هزینه‌های شبه‌ثابت راه‌اندازی،خاموش‌شدن و بی‌باری و محدودیت‌های فنی تولیدکنندگان میتوانند کارایی اقتصادی سازوکارهایقیمت‌گذاری در بازارهای برق را متأثر سازند.
فرض کنیم $G$ یک گروه فشرده‌ی موضعی و $L^p(G)$ فضای نام آشنای $L^p$ به ازای $p>1$ در آنالیز هارمونیک باشد. در این رساله، فضای باناخ عملگرهای هسته‌ای $\\mathcal{N}(L^p(G))$ را مورد مطالعه قرار می‌دهیم. این فضای باناخ مجهز به ضربی پیچشی به نام پیچش نوفنگ، تبدیل به یک جبر باناخ میشود که آن را جبر پیچشی عملگرهای هسته‌ای می‌نامند. این پیچش را نیز با $*$ نشان می‌دهیم. در این رساله، همچنین به معرفی $(\\mathcal{N}(L^p(G)),*)$ و ویژگی‌های اساسی آن می‌پردازیم. همچنین ارتباط‌های بین این جبر پیچشی با جبر گروهی $(L^1(G),*)$ را بررسی می‌کنیم.
در این پایان‌نامه، بر روی طرحی تمرکز می‌کنیم که در
در سال‌های اخیر، آلیاژهای آنتروپی بالا به عنوان یک ماده نوظهور و به سبب ترکیب شیمیایی و ریزساختار‌های بی‌همتا و قابلیت طراحی و ایجاد خواص مورد نیاز، بسیار مورد توجه قرار گرفته‌اند. بنا به تعریف، آلیاژهای آنتروپی بالا به صورت محلول جامد تک فاز با پنج یا چند عنصر اصلی با نسبت‌های اتمی برابر هستند. با این وجود، اخیراً این تعریف به آلیاژهای چند جزئی با نسبت‌های اتمی غیر برابر با چند فاز نیز تعمیم داده شده است. آلیاژهای چند جزئی با نسبت اتمی غیر برابر و چند فازی به سبب سازوکارهای استحکام دهی زیاد، خواص مکانیکی مطلوبی از خود به نمایش گذاشته‌اند.
برنامه ریزی شبکه همیشه بحث مورد توجه محققین بوده و هست. پس از مطرح شدن مفهوم SDN، برنامه ریزی شبکه و به خصوص برنامه ریزی سطح کنترل فراهم شده است. اما برنامه ریزی سطح داده همچنان به عنوان یک چالش در بحث برنامه ریزی شبکه باقی مانده است. برنامه ریزی سطح داده در شبکه به خاطر انعطاف پذیری بیش تری که برای شبکه فراهم می کند از اهمیت ویژه برخوردار است. برنامه ریزی سطح داده در شبکه ایجاد و تعریف پردازش های مختلف روی بسته ها را موقع عبور امکان پذیر می کند.
پلیمرهای حافظهدار (SMPs) دستهای از مواد هوشمند پلیمری هستندکه بعد از ایجاد شکل ثانویه، با اعمال یک محرک مناسب میتوانند بهشکل اصلی و دائمی خود برگردند. این خاصیت حافظهداری توسط یک محرک خارجی، مانند دما، pH ، مواد شیمیایی، نور، میدانهایالکتریکی و غیره فعال میشود . اگر نخ حافظهدار به مقدار زیاد تاب داده شود و سپس به شکل یک ساختمان حلقهای )فنری( تبدیل شود،اثر حافظهداری شدیدتر و دوطرفه خواهد شد.
اولین گامی که در این رساله برداشته شده است در راستای حل یکی از بزرگترین چالشهای منابع تغذیه مجتمع یعنی مسأله سکلفمجتمع م یباشد. برای حل این مسأله در سطح طراحی ساختار هندسی، دو روش سامانمند پیشنهاد شده است که طبق آنها م یتوان سلفمجتمع را با مقدار اندوکتانس مطلوب در کوچکترین مساحت و با بزرگترین ضریب کیفیت یا کمترین تلفات و در زمانی کوتاه طراحکینمود. در ادامه چهار مبدل پیشنهاد شده است که هر کدام یک یا چند چالش در این حوزه را کاهش م یدهد. در مبدل رزونانسی پیشنهادشده شرایط کلیدزنی نرم برای کلیدها فراهم شده است تا بکا فرککانس کلیکدزنی 750 مگکاهرتز بکازده بیشکینه مبکدل 82 % باشکد.
آندیزینگ تک مرحله¬ای صفحات تیتانیوم بر اساس الکترولیتی که شامل زاج کروم، سدیم تنگستات، سدیم مولیبدات، پتاسیم پرمنگنات و سدیم متاوانادات که به ترتیب منبع کروم، تنگستن، مولیبدن، منگنز و وانادیم هستند برای تهیه دوپ Cr-X (Mn و W، Mo، V) در نانولوله¬های تیتانیوم دی¬اکسید استفاده شده¬اند. نمونه¬های تهیه شده دارای خواص حفاظت کاتدی نوری و بهبود در خواص فتوالکتروشیمیایی هستند. بنابراین با دوپ Cr-X بدون تغییر در مورفولوژی سطح (حفظ مورفولوژی نانولوله) و یا تغییر در شبکه (حفظ شبکه آناتاز) به بررسی خواص فتوالکتروشیمیایی و همچنین به کاربرد حفاظت کاتدی نوری پرداخته شد.